该光刻机可广泛用于MEMS和光电子，例如LED生产。它经过**设计，方便处理各种非标准基片、例如混合、高频元件和易碎的III-V族材料，包括砷化镓和磷化铟。而且该设备可通过选配升级套件，实现紫外纳米压印光刻。它具有以下亮点：高分辨率掩模对准光刻，特征尺寸优于0.5微米、装配SUSS的单视场显微镜或分视场显微镜，实现快速准确对准、针对厚胶工艺进行优化的高分辨光学系统、可选配通用光学器件，在不同波长间进行快速切换等。
采用三柔性支点实现高精度自动调平；真空接触自动曝光；样片升降、调平、接触、曝光、复位实现自动化控制；采用积木错位蝇眼透镜实现高均匀照明；可连续设定分离间隙；采用双目双视场显微镜实现高对准精度。整机具有性能可靠、操作方便、自动化程度高等特点。
光刻机通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到硅片上，不同光刻机的成像比例不同，有5:1，也有4:1。然后使用化学方法显影，得到刻在硅片上的电路图（即芯片）。
一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、激光刻蚀等工序。经过一次光刻的芯片可以继续涂胶、曝光。越复杂的芯片，线路图的层数越多，也需要更精密的曝光控制过程。
紫外光刻机工作原理
在加工芯片的过程中，光刻机通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到硅片上，然后使用化学方法显影，得到刻在硅片上的电路图。
一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、激光刻蚀等工序。经过一次光刻的芯片可以继续涂胶、曝光。越复杂的芯片，线路图的层数越多，也需要更精密的曝光控制过程。
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